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製品の詳細
材質：W 1
タイプ：平面ターゲット、回転ターゲット
形状：チューブ、正方形、円形、長尺
純度：99.95%、99.97%
通常密度：19.0 g/cm 3～19.2 g/cm 3
高密度：> ;19.2g/cm3
寸法：図面による加工、精度要求を満たす
製品特徴：密度が高く、純度が高く、粒子が細く、密度が良い
タングステンターゲットの主な用途は、
1.電子デバイスの製造：タングステンターゲットは集積回路（IC）、フラットパネルディスプレイ（FPD）、太陽電池などの電子デバイスの製造に広く応用されている。製造中、タングステンターゲットを真空チャンバ内のターゲットガンに配置し、イオン衝撃または電子ビームによりタングステン原子またはイオンを放出し、基板表面に堆積して所望のタングステン膜を形成する。
タングステンターゲットのユーザーには、半導体メーカー、ディスプレイメーカー、光起電力業界、電子機器メーカー、科学研究機関などが含まれる。これらの業界や単位は、薄膜製造、材料研究、電子デバイス生産などの分野でタングステンターゲットを広く使用している。
プロセスフロー：
平面目標：タングステン粉末プレス焼結圧延深加工表面処理完成品検査包装
小回転ターゲット：タングステン粉末プレス焼結鍛造深加工表面処理完成品検査包装
大回転ターゲット：タングステン粉末プレス焼結深加工表面処理完成品検査包装
材質：W 1
タイプ：平面ターゲット、回転ターゲット
形状：チューブ、正方形、円形、長尺
純度：99.95%、99.97%
通常密度：19.0 g/cm 3～19.2 g/cm 3
高密度：> ;19.2g/cm3
寸法：図面による加工、精度要求を満たす
製品特徴：密度が高く、純度が高く、粒子が細く、密度が良い
タングステンターゲットの主な用途は、
1.電子デバイスの製造：タングステンターゲットは集積回路（IC）、フラットパネルディスプレイ（FPD）、太陽電池などの電子デバイスの製造に広く応用されている。製造中、タングステンターゲットを真空チャンバ内のターゲットガンに配置し、イオン衝撃または電子ビームによりタングステン原子またはイオンを放出し、基板表面に堆積して所望のタングステン膜を形成する。
2.導電材料：タングステンターゲットはその良好な導電性と高融点のため、導電材料の製造によく用いられる。これらは高温抵抗器、電極材料、高出力電子デバイスなどの製造に使用することができる。
タングステンターゲットのユーザーには、半導体メーカー、ディスプレイメーカー、光起電力業界、電子機器メーカー、科学研究機関などが含まれる。これらの業界や単位は、薄膜製造、材料研究、電子デバイス生産などの分野でタングステンターゲットを広く使用している。
プロセスフロー：
平面目標：タングステン粉末プレス焼結圧延深加工表面処理完成品検査包装
小回転ターゲット：タングステン粉末プレス焼結鍛造深加工表面処理完成品検査包装
大回転ターゲット：タングステン粉末プレス焼結深加工表面処理完成品検査包装
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